RTP-150RL 是在保護氣氛下的桌面手動快速退火系統，以紅外可見光加熱單片 Wafer 或樣品，工藝時間短，控溫精度高，適用 2-6 英吋晶片。相對於傳統擴散爐退火系 統和其他 RTP 系統，其獨特的腔體設計、 的溫度控制技術和RL900 軟件控制系統，確保了極好的熱均勻性。1.2 產品特點 紅外鹵素燈管加熱，冷卻採用風冷 燈管功率 PID 控溫，可準確控制溫度升溫，保証良好的重現性與溫度均勻性 採用平行氣路進氣方式，氣體的進入口設置在 Wafer 表面，避免退火過程中冷點產生，保証產品良好的溫度均勻性大氣與真空處理方式均可選擇，進氣前氣體淨化處理 標配三組工藝氣體 可測單晶片樣品的尺寸達 6 英吋（150mm）採用爐門安全溫度開啟保護、溫控器開啟權限保護以及設備急停安全保護三重安全措施，全方位保障儀器使用安全1.3 RTP
行業應用 氧化物、氮化物生長 硅化物合金退火 砷化鎵工藝 歐姆接觸快速合金 氧化回流 其他快速熱處理工藝
二、技術規格RTP-RL150產品尺寸6 寸晶圓或者支持 150×150mm
產品腔體材質鍍金鋁制腔體溫度範圍室溫~1200℃（＞800℃採用非接觸式溫度計控溫）
升溫速度150℃/s 可編程（此溫度為不含載盤的升溫速度）
溫度均勻度±5℃≤500℃，±1%＞500℃溫度控制重複性±1℃恆溫持續時間可依據要求編程溫控方式快速 PID 溫控控溫區域多組控溫區域，保証恆溫區溫度穩定性降溫速度約 200℃/min（1000~400℃）不可編程腔體設計可配置大氣常壓腔體或者真空腔體真空泵風冷式干泵腔體冷卻方式水冷腔體，獨立水冷源控制冷卻冷水機配置優先選擇瑞樂百德公司配置的冷水機，或者使用廠務用水襯底冷卻方式氮氣吹掃工藝氣體MFC 控制，常規三路氣體（N2 / O2 / GN2）控制方式工業電腦+PC control溫度校準TC Wafer 及溫度校準工具（選配）Wafer 托盤SiC（選配）
