|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
德國SENTECH刻蝕機RIE刻蝕ICP刻蝕 SI500
|
|
| 型號︰ | SI500 |
| 品牌︰ | SENTECH |
| 原產地︰ | 德國 |
| 單價︰ | - |
| 最少訂量︰ | 1 件 |
|
|
|
|
|
|
|
|
系統配置:
|
編號
|
設備配置
|
具體指標
|
|
1
|
晶片尺寸
|
8"，使用載盤可以適用於2", 3", 4", 6" 晶圓, 以及小片樣品)
|
|
2
|
等離子源
|
PTSA ICP等離子源
13.56 MHz, 功率1200 W
集成自動匹配網絡
|
|
3
|
射頻偏置電源
|
13.56 MHz, 600 W
|
|
4
|
電極溫控
|
-30?C ~ 250?C （低溫可選-150 ?C）
|
|
5
|
反應腔本底真空
|
≤ 1 x 10-6 mbar
|
|
6
|
氣體管路
|
標準氣櫃***多可以配置16路氣體管道。（可以增加氣櫃）
|
|
7
|
PC
|
Windows 7 Professional
SENTECH高級等離子設備操作軟件
|
|
8
|
預真空室
|
配置。
|
|
9
|
He晶片冷卻
|
配置。
|
|
10
|
機械鉗
|
配置。
|
|
11
|
深硅刻蝕典型指標
|
- 刻蝕速率： 2~5 ?m/min
- 選擇比(SiO2)： 90:1
特性:
l 全自動/手動過程控制
l Recipe控制刻蝕過程
l 智能過程控制，包括跳轉、循環調用recipe
l 多用戶權限設置
l 數據資料記錄
l LAN網絡接口
l Windows NT 操作軟件
選項:
l 增加氣路
l PTSA源石英窗口
l 在線監測窗口，穿過PTSA源
l 循環冷卻器，用於下電極溫度控制 (-30?C to 80?C)
l 高密度等離子體磁性襯板
l 對等離子源和磁性襯板的外部升高裝置
l Cassette到cassette操作方式
l 穿牆式安裝方式
l 干涉式終點探測和刻蝕深度測量系統
|
|
|
|
|
產品圖片
|
|
|
相關產品
|
|
|
|
|
|
|
|
