離子束系統可以實現：
穩定的膜層沉積速率；化學成分穩定
多種可選項，以適應不同應用要求：多種離子源可選；多種 工裝夾具可選；多種鍍膜控制方式可選；剩餘氣體分析；自動化控制方式可選
離子束濺射的優點：
成膜粒子動能大，因此，膜層緻密性好，針眼少，對環境穩定
成膜真空度高（10-4TORR），因此，膜層純度高
可以提供工件預處理以膜層附着力
獨立控制離子能量和離子束流，可以提供更大的工藝靈活性，控製成膜組分，應力，圍觀結構等
穩定的沉澱速率，突出的膜層厚度控制和穩定的成膜均勻性
自動化控制-地工藝控制
傾斜式單旋轉工件盤：
直徑六英吋或八英吋的工件盤可選
水冷型
突出的沉積和刻蝕均勻性
傾斜式
可以通過調整傾斜角度得到工藝要求的臺階覆蓋率
可以通過調節調節傾斜角度進一步均勻性
傾斜行星式工件盤：
三個直徑六英吋的水冷型行星盤
採用行星式工件盤以得到更好的均勻性
突出的沉澱和刻蝕均勻性
傾斜式
離子束濺射沉積源：
多種型號射頻或直流離子源可選
射頻（3cm,6cm）
適合濺射工藝
污染小（無燈絲）
非常適合濺射介質材料，可以用於濺射金屬
維護間隔時間超過200小時
※ 直流（3cm,5cm,8cm）
適合非反應濺射工藝
多種配置可供選擇
等離子體橋狀中和器：增強反應濺射工藝能力和小維護時間間隔在25-45小時
空心陰極中和器：減小污染，維護間隔時間長達150小時
非常適合濺射金屬，可以用於濺射介質材料
離子源柵極選項：
材質：
石墨：適合無反應工藝
鉬：適合大多數反應工藝
柵網結構：聚焦型離子源
發散型輔助或者預清洗源
採用三柵網結構可以使濺射工藝更加穩定
四柵網結構
靶材夾具：
當配置用於濺射時，配置水冷型四靶材夾具。可以裝多四個直徑5英吋的靶材。
泵選項：
機械泵：油泵/干泵
高真空泵：CTI低溫冷凝泵/渦輪分子泵
終點控制：
濺射工藝：
時間控制：通常用於簡單沉積工藝，少於20層；
石英晶體膜厚控制儀：MAXTEK260/360C，石英晶體失效情況下，採用時間控制
系統技術規格：
當配置為離子束沉積時，多可以安裝四個直徑5英吋靶材
提供單旋轉傾斜式工裝夾具，工件尺寸6英吋或8英吋，帶水冷；
為獲得更好的均勻性，提供行星式傾斜式工裝夾具，三個6英吋行星工件盤，帶水冷；
可以沉積無漂移光學薄膜；
可以在低於10-4 torr的真空度下沉積，成膜純度；
配置雙離子源時，可以實現基片預清洗，膜層附着力；
全自動成膜工藝控制；
·多種Veeco公司射頻或直流離子源可供選擇；
高真空低溫泵或渦輪分子泵可選；
對於離子束沉積，成膜厚度控制可以採用時間控制或石英晶體膜厚控制儀控制；
離子束沉澱適合材料：
介質材料：SiO2,Ta2O5,Al2O3,TiO2,Si3N4等
金屬材料：W, Au, Cu, Pt, NiFe, CrCo,Si等
IBE和RIBE適用材料：
介質材料：Si, SiO2, Al2O3, Polyimide等
金屬材料：NiFe, Cu, Au, Al.
