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德国SENTECH刻蚀机RIE刻蚀ICP刻蚀 SI500
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| 型号︰ | SI500 |
| 品牌︰ | SENTECH |
| 原产地︰ | 德国 |
| 最少订量︰ | 1 件 |
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系统配置:
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编号
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设备配置
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具体指标
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1
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晶片尺寸
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8"，使用载盘可以适用于2", 3", 4", 6" 晶圆, 以及小片样品)
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2
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等离子源
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PTSA ICP等离子源
13.56 MHz, 功率1200 W
集成自动匹配网络
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3
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射频偏置电源
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13.56 MHz, 600 W
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4
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电极温控
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-30?C ~ 250?C （低温可选-150 ?C）
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5
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反应腔本底真空
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≤ 1 x 10-6 mbar
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6
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气体管路
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标准气柜***多可以配置16路气体管道。（可以增加气柜）
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7
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PC
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Windows 7 Professional
SENTECH高级等离子设备操作软件
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8
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预真空室
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配置。
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9
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He晶片冷却
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配置。
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10
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机械钳
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配置。
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11
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深硅刻蚀典型指标
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- 刻蚀速率： 2~5 ?m/min
- 选择比(SiO2)： 90:1
特性:
l 全自动/手动过程控制
l Recipe控制刻蚀过程
l 智能过程控制，包括跳转、循环调用recipe
l 多用户权限设置
l 数据资料记录
l LAN网络接口
l Windows NT 操作软件
选项:
l 增加气路
l PTSA源石英窗口
l 在线监测窗口，穿过PTSA源
l 循环冷却器，用于下电极温度控制 (-30?C to 80?C)
l 高密度等离子体磁性衬板
l 对等离子源和磁性衬板的外部升高装置
l Cassette到cassette操作方式
l 穿墙式安装方式
l 干涉式终点探测和刻蚀深度测量系统
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产品图片
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